+86-18822802390

Cad é an leas a bhaint as léasair leathsheoltóra ardchumhachta 905nm

Oct 15, 2022

Sa lá atá inniu ann, clúdaíonn cur i bhfeidhm léasair leathsheoltóra ardchumhachta beagnach gach réimse ardteicneolaíochta lena n-áirítear aeraspáis mhíleata, táirgeadh tionsclaíoch, cúram leighis agus sláinte, lena n-áirítear stóráil sonraí, cumarsáid snáithíní optúla, fuze léasair, teicneolaíocht holografach, priontáil scanadh, feidhmíocht siamsaíochta, etc. Is é an chúis mar gheall ar a lán buntáistí féin, mar shampla praghas íseal, comhtháthú láidir, tomhaltas chumhacht íseal agus éifeachtacht ard. 80Is cineál léasair leathsheoltóra é léasair leathsheoltóra ardchumhachta 8nm a thosaigh níos luaithe agus a ndearnadh staidéar níos doimhne air. Ceann de na feidhmeanna is tábhachtaí atá aige ná mar fhoinse caidéil do léasair soladach-stáit. Anois tá sé tar éis an fhoinse caidéil lampa traidisiúnta a athsholáthar go bunúsach. Is é an chúis is mó ná Nó mar gheall ar an éifeachtacht chomhshó ard nach féidir le caidéalú lampa traidisiúnta a bhaint amach. 90Tá léasair leathsheoltóra ardchumhachta 5nm neamhdhíobhálach do shúile an duine, mar sin úsáidtear iad go forleathan i teiripe súl léasair, fís oíche infridhearg, réaltacht fhíorúil agus mar sin de. Glacann na léasair leathsheoltóra atá deartha sa pháipéar seo struchtúr cuas mór, rud a d'fhéadfadh ní hamháin feabhas a chur ar thairseach damáiste an dromchla cuas tubaisteach, ach freisin léasú modh ard-ordú a shochtadh. Glacann an tobar candamach de 80 léasair leathsheoltóra 8nm InAlGaAs agus GaAsP faoi seach, agus tá úsáid tobair chandamach GaAsP saor ó alúmanam tairbheach chun iontaofacht na feiste a fheabhsú. Glacann an léasair 905nm struchtúr easghluaiseachta tolláin réigiún ilghníomhach, ar féidir leis éifeachtacht chandamach inmheánach an léasair a fheabhsú go suntasach. Déanann an páipéar seo staidéar go príomha ar 808nm agus 90 Léasair leathsheoltóra ardchumhachta 5nm ó na gnéithe seo a leanas: Ar dtús, tugtar isteach stair forbartha, stádas taighde agus feidhmeanna léasair leathsheoltóra. Ar an dara dul síos, déantar prionsabal oibre agus réamhchúraimí trealaimh fáis wafer epitaxial agus trealamh tástála a mhíniú. Sa tsaotharlann seo, úsáidtear córas taiscí gaile cumaisc miotail-orgánach EMCORE D125 (MOCVD) de chuid cuideachta Vecco sna Stáit Aontaithe le haghaidh fás wafer epitaxial. Is é an trealamh tástála an córas tástála speictrim fhluaraiseachta optúil PLM de chuid cuideachta Philips agus an tsamhail CV leictreamaiceimiceach de Accent PN44{{40}}0. (ECV) córas tástála. Ansin, tugtar isteach próiseas dearaidh léasair leathsheoltóra tobair chandamach strained tipiciúil, lena n-áirítear ríomh bandgap an tobair chandamach strained, ríomh an t-ordú banna, an gaol idir an tonnfhad léasair agus an comhdhéanamh ábhar tobair chandamach agus leithead an tobair. , srl. Úsáideann an insamhalta maitrís aistrithe bunaithe ar Kohn-Luttinger Hamiltonian. Bunaithe ar an teoiric thuas, rinneadh ionsamhlúcháin ar réigiún gníomhach na léasair leathsheoltóra 8{{08nm agus 9{50}}5nm chun comhdhéanamh ábhair agus leithead tobair na toibreacha chandamach a chinneadh. D'úsáid na toibreacha candamach léasair leathsheoltóra 808nm 10nm In0.14Al0.11Ga0.75As agus 12nm faoi seach. Glacann tobair léasair leathsheoltóra GaAs0.84P0.16, 905nm 7nm In0.1Ga0.9As, agus glacann an réigiún gníomhach struchtúr tobair chandamach dúbailte. Is é Al0.3Ga0.7As an ciseal bacainn agus an ciseal tonn-treoraithe de léasair leathsheoltóra 808nm agus 905nm, agus is é Al0.5Ga0.5As an ciseal teorann. Ar an mbonn seo, déantar fás epitaxial MOCVD ar struchtúr an réigiúin ghníomhach, agus déantar an struchtúr agus na coinníollacha epitaxial a bharrfheabhsú de réir thorthaí tástála PL, agus ar deireadh faightear an struchtúr réigiúin gníomhach optamaithe. Mar fhocal scoir, ar bhonn an réigiúin chandamach atá gníomhach go maith tar éis leas iomlán a bhaint as epitaxy, trí thiús an chiseal tonntreoraithe, ciseal teorann, ciseal caipín, etc., a mhéadú agus dópáil chuí a dhéanamh, déantar an struchtúr a fhás go epitaxially ag MOCVD córas epitaxy, agus ansin tá an struchtúr faoi réir photolithography. , creimeadh, sil-leagan, sputtering, scoilteachta, sciath, shintéiriú, táthú brú, pacáistiú agus iar-phróisis eile, ullmhaítear an bás léasair críochnaithe. Na buntáistí agus na míbhuntáistí a bhaineann le feidhmíocht


-5

Glaoigh Linn